삼성 Shine Bolt HBM3E 메모리 GDDR7 개발

 

삼성은 2023년 메모리 기술의 날 동안 HBM3E, GDDR7, LPDDR5x CAMM2 등을 포함한 차세대 메모리 기술을 공식 발표했습니다. 

 

삼성 HBM3E, GDDR7, LPDDR5x CAMM2 등을 포함한 차세대 메모리 기술

 

우리는 이미 차세대 AI, 게임 및 데이터 센터 애플리케이션을 위한 코드명 Shine Bolt 라는 삼성 HBM3E 메모리와 GDDR7에 대한 개발을 보고했습니다. 이는 2023년 메모리 기술의 날의 두 가지 가장 큰 하이라이트로 볼 수 있지만 삼성은 확실히 더 많은 조치를 취하고 있습니다. 

 

AI 및 데이터 센터를 위한 Samsung HBM3E Shinebolt 메모리 

 

업계 최초의 HBM2 상용화와 2016년 고성능 컴퓨터 용 HBM 시장 개척에 대한 삼성의 전문성을 바탕으로 이 회사는 오늘 Shinebolt라는 이름의 차세대 HBM3E DRAM 을 공개했습니다. 삼성의 Shinebolt는 차세대 AI 애플리케이션을 강화하여 총 소유 비용을 개선하고 데이터 센터에서AI모델 훈련 및 추론 속도를 높일 것입니다. 

 

HBM3E는 핀 속도당 9.8Gbps 라는 인상적인 속도를 자랑합니다. 즉 1.2Tbps 이상의 전송 속도를 달성할 수 있습니다. 삼성전자는 더 높은 층의 스택 구현과 열 특성 개선을 위해 비전도성 필름 기술을 최적화해 칩 층 간격을 없애고 열전도도를 극대화했습니다. 삼성전자의 8H, 12H HBM3 제품은 현재 양산 중이며 샤인볼트용 샘플이 고객사로 배송되고 있습니다. 

 

또한 토털 반도체 솔루션 제공업체로서의 강점을 활용하여 차세대 HBM 첨단 패키징 기술 및 파운드리 제품을 결합한 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 계획입니다. 

 

Smasung GDDR7 차세대 게이밍 그래픽을 위한 32Gbps 및 32Gb DRAM

이번 행사에서 강조된 다른 제품으로는 업계 최고 용량의 32Gb DDR5 DRAM, 업계 최초의 32Gbps GDDR7, 서버 애플리케이션의 스토리지 성능을 크게 향상하는 페타바이트 규모의 PBSSD 등이 있습니다. 

 

삼성에 따르면 GDDR7 메모리는 최대 16Gb 다이 용량을 제공하는 현재 가장 빠른 24Gbps GDDR6 DRAM에 비해 성능은 40$ 향상되고 전력 효율성은 20% 향상됩니다. 첫 번째 제품은 최대 32Gbps의 전송 속도를 제공하며 이는 GDDR6 메모리보다 33% 향상된 동시에 384비트 버스 인터페이스 솔루션에 달성할 수 있는 최대 1.5TB/s 대역폭을 자랑합니다. 

 

또한 이 회사는 최대 36Gbps의 속도로 실행되는 초기 샘플을 테스트했지만 차세대 게임 및 AI GPU라인업을 충족하기에 충분한 대량 생산이 준비될지는 의문입니다. 

 

GDD7 메모리는 또한 20% 더 높은 효율성을 제공할 것이며 메모리가 고급 GPU에 엄청난 양의 전력을 소비한다는 점을 고려하면 이는 대단한 일입니다. 삼성 GDDR7 DRAM에는 고속 작업 부하에 특별히 최적화된 기술이 포함될 것이며 노트북과 같이 전력 사용량을 주의 깊게 사용하는 애플리케이션을 위해 설계된 낮은 작동 전압 옵션도 있을 것이라고 합니다. 열의 경우, 새로운 메모리 표준은 열 전도성이 높은 EMC를 활용하여 열 저항을 최대 70% 까지 줄입니다. 지난 8월 삼성이 차세대 게이밍 그래픽 카드의 조기 평가를 위해 GDDR7 DRAM을 NVIDIA에 샘플링하고 있다는 보도가 있었습니다.